Category: компьютеры

M

Samsung PM1733: новые SSD с PCIe 4.0 и поддержкой AMD EPYC 7002 Rome



О поддержке новых серверных процессоров AMD EPYC 7002 поколения Rome уже заявили многие крупные производители, после чего стоимость акций AMD уверенно пошла вверх. Теперь и Samsung представляет новую серию твердотельных накопителей PM1733.
Samsung PM1733 построены на памяти TLC V-NAND и используют интерфейс PCIe 4.0. Они выпускаются как в варианте U.2, так и в форм-факторе HHHL (Gen 4 x8). Правда, если в первом случае Samsung предлагает накопители объёмом до 30,72 Тбайт, то во втором их ёмкость ограничена 15,36 Тбайт.
Современные SSD с интерфейсом PCIe 4.0 предлагают скорость последовательного чтения/записи в диапазоне 5000/4400 Мбайт/с. Но в случае с Samsung PM1733 эта цифра достигает потрясающих 8000 Мбайт/с, а производительность SSD в операциях с произвольным доступом блоками по 4 Кбайт доходит до отметки 1500K IOPS.
Серия твердотельных накопителей Samsung PM1733 появится в продаже уже в этом квартале, хотя их цена пока не объявлена. Но если учесть рекордные характеристики нового продукта, рассчитывать на доступный ценник вряд ли возможно.


Подробнее: https://samtizen.blogspot.com/2019/08/samsung-pm1733-ssd-pcie-40-amd-epyc.html
M

Samsung представил флагманский мобильный процессор Exynos 9825



Незадолго до презентации флагманских смартфонов Galaxy Note10 и Note10+ подразделение Samsung Seniconductor представило Exynos 9825 — первый в мире процессор, изготовленный по 7-нм техпроцессу с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Новейшая мобильная платформа, установленная в Galaxy Note10/10+, отличается улучшенной производительностью и энергоэффективностью по сравнению с прошлогодней моделью.
Предыдущий Exynos 9820 был изготовлен по 8-нм технологии. Exynos 9825 использует 7-нм техпроцесс при той же конфигурации: 8-ядерный процессор с 2-мя ядрами Cortex-A75, 4-мя Cortex-A55 и 2-мя вспомогательными высокопроизводительными ядрами. Графический чип остался прежним — ARM Mali-G76 MP12.
Новинка поддерживает аппаратное декодирование видео с разрешением 8К при частоте 30 кадров в секунду, а также 4К при 150 кадрах в секунду (150 fps). У платформы имеется встроенный модем LTE Cat. 20, предусмотрена возможность подключения 5G-модема Exynos 5100. За работу искусственного интеллекта и функций нейронных сетей отвечает интегрированный модуль (NPU).
Максимальное разрешение дисплеев, с которым совместима платформа, составляет 4096x2160 или 3840х2400 пикселей. Реализована поддержка оперативной памяти LPDDR4Х и накопителей стандарта UFS 3.0/UFS 2.1. Более развёрнутая информация была представлена журналистам в ходе презентации Galaxy Note10 и Note10+ в Нью-Йорке.


Узнать больше (more info): https://samtizen.blogspot.com/2019/08/samsung-exynos-9825.html
M

Samsung представляет 3D-память SSD V-NAND 6-го поколения



Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявиляет о начале массового производства твердотельных накопителей SATA ёмкостью 250Гб на базе 256-гигабитных V-NAND модулей 6-го поколения из более чем 100 слоёв трёхбитных ячеек, которые будут поставляться глобальным производителям ПК. На создание нового поколения V-NAND Samsung потребовалось всего 13 месяцев – таким образом, корпорация сократила производственный цикл на 4 месяца, при этом выпустив самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули.
V-NAND модули Samsung 6-го поколения отличаются самой высокой в отрасли скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество вендора, которое выводит 3D-память на новый уровень.
Благодаря уникальной фирменной технологии травления каналов новые V-NAND кристаллы получили примерно на 40% больше ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти предыдущего поколения. Это достигается путём формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в результате чего образуются однородные трёхмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF).
По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке флэш-чипы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрил оптимизированную по скорости конструкцию схемы, которая позволяет достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с предыдущим поколением новая конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%.
Благодаря оптимизированному дизайну, решения V-NAND следующего поколения смогут получить более 300 слоёв, сочетая 3 ячейки 6-го поколения без ущерба для производительности или надёжности чипа.
Кроме того, для создания чипа плотностью 256Гб нового поколения необходимо всего 670 миллионов сквозных каналов, по сравнению с 930 миллионами в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%.
Используя функции с высокой скоростью и малой мощностью, Samsung намерен не только расширить возможности использования своих 3D V-NAND-решений в таких типах устройств, как мобильные гаджеты и корпоративные серверы, но и вывести их на автомобильный рынок, где высокая надёжность имеет ключевое значение.
«Внедряя передовые технологии 3D-памяти в модели массового производства, мы можем представить линейки памяти, которые обладают значительно большими скоростью и энергопотреблением, — отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флэш-памяти и технологии Samsung Electronics. — Благодаря сокращению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».
В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит запуск на рынок 512-гигабитных трёхбитных V-NAND SSD и eUFS во 2-м полугодии. Корпорация также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений 6-го поколения на заводе в Пхёнтэке (Южная Корея), начиная со следующего года.


Узнать больше: https://samtizen.blogspot.com/2019/08/samsung-3d-ssd-v-nand-6.html
M

Samsung представляет 3D-память SSD V-NAND 6-го поколения



Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявиляет о начале массового производства твердотельных накопителей SATA ёмкостью 250Гб на базе 256-гигабитных V-NAND модулей 6-го поколения из более чем 100 слоёв трёхбитных ячеек, которые будут поставляться глобальным производителям ПК. На создание нового поколения V-NAND Samsung потребовалось всего 13 месяцев – таким образом, корпорация сократила производственный цикл на 4 месяца, при этом выпустив самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули.
V-NAND модули Samsung 6-го поколения отличаются самой высокой в отрасли скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество вендора, которое выводит 3D-память на новый уровень.
Благодаря уникальной фирменной технологии травления каналов новые V-NAND кристаллы получили примерно на 40% больше ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти предыдущего поколения. Это достигается путём формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в результате чего образуются однородные трёхмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF).
По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке флэш-чипы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрил оптимизированную по скорости конструкцию схемы, которая позволяет достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с предыдущим поколением новая конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%.
Благодаря оптимизированному дизайну, решения V-NAND следующего поколения смогут получить более 300 слоёв, сочетая 3 ячейки 6-го поколения без ущерба для производительности или надёжности чипа.
Кроме того, для создания чипа плотностью 256Гб нового поколения необходимо всего 670 миллионов сквозных каналов, по сравнению с 930 миллионами в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%.
Используя функции с высокой скоростью и малой мощностью, Samsung намерен не только расширить возможности использования своих 3D V-NAND-решений в таких типах устройств, как мобильные гаджеты и корпоративные серверы, но и вывести их на автомобильный рынок, где высокая надёжность имеет ключевое значение.
«Внедряя передовые технологии 3D-памяти в модели массового производства, мы можем представить линейки памяти, которые обладают значительно большими скоростью и энергопотреблением, — отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флэш-памяти и технологии Samsung Electronics. — Благодаря сокращению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».
В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит запуск на рынок 512-гигабитных трёхбитных V-NAND SSD и eUFS во 2-м полугодии. Корпорация также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений 6-го поколения на заводе в Пхёнтэке (Южная Корея), начиная со следующего года.


Подробнее: https://samtizen.blogspot.com/2019/08/samsung-3d-ssd-v-nand-6.html
M

Samsung рассказал почему в холодильниках Twin Cooling Plus продуктам живётся лучше

Samsung-Twin-Cooling-Plus

Samsung запустил серию забавных рекламных роликов, где в шуточной форме показано, почему фруктам и овощам живётся намного лучше в новых холодильниках серии Twin Cooling Plus.
Всё дело в том, что производитель применил в домашних рефрижераторах последних модификаций систему раздельного охлаждения камер, дополненную интеллектуальным управлением. Это позволяет создавать множество комбинаций и необходимый микроклимат на каждом "этаже" холодильника, чего раньше не наблюдалось в кухонной технике доступного ценового сегмента.


Samsung_Plus

Помимо сепаратного охлаждения камер, в Twin Cooling Plus применяется ещё множество эксклюзивных технологий, разработанных инженерами южнокорейского техногиганта. Это эффективная система сбережения энергии, антибактериальный процессор, бесшумные инверторные электродвигатели с рекордно высоким сроком непрерывной работы (на них даётся 10-летняя гарантия), специальная конструкция воздуховодов для оптимального охлаждения, яркие и долговечные светодиодные лампочки, специальные материалы для изоляции холодильных камер от проникновения тёплого воздуха и много чего ещё.
В настоящее время холодильники серии Twin Coolng Plus доступны на рынках целого ряда стран, в том числе и в России.